半導体の構造解析

半導体の構造解析ができる

半導体の構造解析ができる

IS-POLISHERでは、従来の研磨では難しかった半導体の構造解析が可能です。
実際の故障解析の事例をご紹介します。

半導体の故障解析の事例

PKGの実装前の観察画像に対し、基板実装後に内部の様子に変化が生じたため、観察画像の結果より、故障部位の「平面研磨」及び「断面研磨」を行い、原因の特定を行いました。
同モードの不良がいくつかある場合には、平面研磨・断面研磨と両方からの解析及び観察ができます。

〈超音波探傷装置によるPKG内部密着度観察〉

半導体の故障解析の事例

〈断面研磨方向〉

断面研磨方向
断面研磨方向
断面研磨方向

①ペレットチップ ②PKGのボール端子 ③基板 ④アンダーフィル ⑤故障箇所(ボイド発生)

解析結果と判断 変化した部位に空洞が発生していることから、電子部品と基板間には半田ボールで接続後、アンダーフィルを流し込み密着性を上げました。
この白い部分には「隙間」が発生したと考えられます。

実装信頼性接合部故障解析の事例

下記の手順で、接合部の不良箇所を特定を行いました。

1)現品の観察(目視・金属顕微鏡・X線・超音波探傷観察)
→詳細な観察と外観から得られる情報の記録

2)電気的特性調査
→不良項目から構造的に考えられる不良部位の特定、及び構造の理解・X線等の観察
→今回の不良は特定端子の導通不良

3)不良解析方法の決定(例として、断面研磨による故障解析事例を紹介)
このサンプルは、断面研磨で仕上げたものです。

〈断面研磨品 PKG全体観察〉

断面研磨品 PKG全体観察

①ペレットチップ ②PKGのボール端子 ③接続ポスト ④実装基板 ⑤製品と基板の接続点

〈不良部位の拡大観察〉

不良部位の拡大観察
不良部位の拡大観察

①ペレットチップ ②電子部品の半田ボール ③ポスト部 ④実装基板配線

解析結果と判断 断面研磨を行い、電気的特性から絞り込んだ端子において、基板と基板ポスト部にクラックを確認。SEMで拡大観察し不良箇所を特定。
電子部品のボール部は十分接合されている。

実装品の一般的な故障解析について

実装品の一般的な故障解析について

〈ボンディングの接合不良による故障解析の研磨手順〉

端子のオープン(未接合)不良における、故障解析の研磨手順についてご紹介します。

使用試料ホルダ 一軸傾斜ホルダ
研磨ポイント 電気的特性で絞り込んだ部位の配列断面を正確に露出させる

1)現品の観察
→詳細な観察と外観から得られる情報の記録

2)電気的特性調査
→不良項目から構造的に考えられる不良部位の特定及び構造の理解・X線等の観察

3)不良解析方法の決定(例として、断面研磨を紹介)
→研磨進行と構造的部位に着目しながら研磨レシピを変更

  1. 絞り込んだ端子側から研磨を開始する

    絞り込んだ端子側から研磨を開始する。
    →まずは外部端子からの接続線の断面が点状に現れる。

  2. 最初にペレットチップが搭載されているリードフレームの側面が顔をだす

    最初にペレットチップが搭載されているリードフレームの側面が顔をだす。

  3. 更に研磨が進むとチップ側面が顔をだす

    更に研磨が進むとチップ側面が顔をだす。
    左右の均一性を確認。

  4. 化学的研磨

    その後、ボンディング側面が顔をだす。
    左右の均一性を確認、観察したい端子に着目する。

  5. バフ研磨を行い、ボンディング表面と、チップとの接続面の出来栄えを確認し、
                    高倍率のSEM等で最終観察を行い、不良箇所が電気的特性結果と一致する事を確認する

    バフ研磨を行い、ボンディング表面と、チップとの接続面の出来栄えを確認し、 高倍率のSEM等で最終観察を行い、不良箇所が電気的特性結果と一致する事を確認する。

  6. 不良の端子を良品端子と比較し構造的違いを観察する

    不良の端子を良品端子と比較し構造的違いを観察する。
    →不良端子:Bd下に隙間がある
    →良品端子:Bd下は密着している

  7. SEMで拡大観察し不良箇所を特定する

    SEMで拡大観察し不良箇所を特定する。

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